RELIABILITY OF MOS LSI CIRCUITS

被引：10

作者：

COLBOURNE, ED ^{[1
]}

COVERLEY, GP ^{[1
]}

BEHERA, SK ^{[1
]}

机构：

[1] MICROSYST INT LTD, OTTAWA, ONTARIO, CANADA

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/PROC.1974.9412

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：244 / 259

页数：16

共 39 条

[21]

Loranger J. A., 1973, Microelectronics, V4, P48

[22]

MUNCHERYAN HM, 1968, ELECTRON ENG, P49

[23]

NICHOLS ED, 1972, JAN P ANN REL MAINT, P474

[24]

NOWAK TJ, 1967, P ANN S REL, P365

PLOWS, GS ;

NIXON, WC .

MICROELECTRONICS AND RELIABILITY, 1971, 10 (05) :317-&

[26]

REESE RW, 1973, 11 ANN P REL PHYS S, P124

[27]

REYNOLDS FH, 1971, 9TH ANN P REL PHYS S, P46

[28] FAILURE MECHANISMS IN LARGE-SCALE INTEGRATED CIRCUITS [J].

SCHNABLE, GL ;

KEEN, RS .

[29]

SIMM JH, 1968, QUALITY ASSURANCE

[30]

SLUSSER EA, 1971, EVALUATION ENG, P20