INTERFACIAL STRUCTURE OF TUNGSTEN LAYERS FORMED BY SELECTIVE LOW-PRESSURE CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION

被引:70
作者
STACY, WT
BROADBENT, EK
NORCOTT, MH
机构
关键词
D O I
10.1149/1.2113862
中图分类号
O646 [电化学、电解、磁化学];
学科分类号
081704 ;
摘要
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页数:5
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