INFLUENCE OF GATE INTERVALS ON THE BEHAVIOR OF SUB-MICRON DUAL-GATE FETS

被引：3

作者：

ALLAMANDO, E

SALMER, G

BOUHESS, M

CONSTANT, E

机构：

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1982年 / 18卷 / 18期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19820536

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页码：791 / 793

页数：3

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共 3 条

[1] MODELING OF A SUBMICROMETER GATE FIELD-EFFECT TRANSISTOR INCLUDING EFFECTS OF NONSTATIONARY ELECTRON DYNAMICS [J].

CARNEZ, B ;

CAPPY, A ;

KASZYNSKI, A ;

CONSTANT, E ;

SALMER, G .

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1980, 51 (01) :784-790

[2] INFLUENCE OF NONUNIFORM FIELD DISTRIBUTION ON FREQUENCY LIMITS OF GAAS FIELD-EFFECT TRANSISTORS [J].

SHUR, M .

ELECTRONICS LETTERS, 1976, 12 (23) :615-616

[3]

Wasserstrom E., 1970, Bell System Technical Journal, V49, P853