INFLUENCE OF NONUNIFORM FIELD DISTRIBUTION ON FREQUENCY LIMITS OF GAAS FIELD-EFFECT TRANSISTORS

被引：173

作者：

SHUR, M ^{[1
]}

机构：

[1] CORNELL UNIV,SCH ELECT ENGN,ITHACA,NY 14853

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19760470

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：615 / 616

页数：2

共 8 条

FAWCETT, W ;

BOARDMAN, AD ;

SWAIN, S .

[2]

LAMMING JC, 1976, MICROWAVE DEVICES, P115

[3] CORRECTION [J].

MALONEY, TJ .

[4] FREQUENCY LIMITS OF GAAS AND INP FIELD-EFFECT TRANSISTORS [J].

MALONEY, TJ ;

FREY, J .

MALONEY, TJ ;

FREY, J .

[6]

MALONEY TJ, 1976, THESIS CORNELL U

[7] ELECTRON DYNAMICS IN SHORT CHANNEL FIELD-EFFECT TRANSISTORS [J].

RUCH, JG .

RUCH, JG ;

FAWCETT, W .