FREQUENCY LIMITS OF GAAS AND INP FIELD-EFFECT TRANSISTORS

被引：23

作者：

MALONEY, TJ ^{[1
]}

FREY, J ^{[1
]}

机构：

[1] CORNELL UNIV,SCH ELECT ENGN,ITHACA,NY 14853

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1975.18139

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：357 / 358

页数：2

共 7 条

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