HIGH-POWER OPERATION OF DCPBH LASERS EMITTING AT 1.52-MU-M WAVELENGTH

被引：5

作者：

RENNER, D ^{[1
]}

COLLAR, AJ ^{[1
]}

GREENE, PD ^{[1
]}

HENSHALL, GD ^{[1
]}

机构：

[1] STAND TELECOMMUN LABS LTD,HARLOW CM17 9NA,ESSEX,ENGLAND

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1985年 / 21卷 / 22期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19850713

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：1006 / 1007

页数：2

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共 4 条

[1]

DUTTA NK, 1984, J LIGHTWAVE TECHNOL, V2, P201

[2]

GENTRY FE, 1964, SEMICONDUCTOR CONTRO

[3] IMPROVED HIGH-TEMPERATURE PERFORMANCE OF 1.52 MU-M INGAASP LASER-DIODES FABRICATED BY 2-STEP VPE AND LPE [J].

KATO, Y ;

YANASE, T ;

KITAMURA, M ;

NISHI, K ;

YAMAGUCHI, M ;

NISHIMOTO, H ;

MITO, I ;

LANG, R .

ELECTRONICS LETTERS, 1985, 21 (07) :293-295

[4]

MITO I, 1983, J LIGHTWAVE TECHNOL, V1, P195