REORDERING OF RECONSTRUCTED SI-SURFACES UPON GE-DEPOSITION AT ROOM-TEMPERATURE

被引:44
作者
GOSSMANN, HJ [1 ]
FELDMAN, LC [1 ]
GIBSON, WM [1 ]
机构
[1] AT&T BELL LABS,MURRAY HILL,NJ 07974
关键词
D O I
10.1103/PhysRevLett.53.294
中图分类号
O4 [物理学];
学科分类号
0702 ;
摘要
引用
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页码:294 / 297
页数:4
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