学术探索
学术期刊
新闻热点
数据分析
智能评审

MULTIVACANCIES, INTERSTITIALS, AND SELF-INTERSTITIAL MIGRATION IN SILICON

被引：27
作者：
PANTELIDES, ST
IVANOV, I
SCHEFFLER, M
VIGNERON, JP
机构：
来源：
PHYSICA B & C | 1983年 / 116卷 / 1-3期
关键词：
D O I：
10.1016/0378-4363(83)90220-6
中图分类号：
O4 [物理学];
学科分类号：
0702 ;
摘要：
引用
收藏
页码：18 / 27
页数：10
相关论文
共 42 条
  • [41] CARBON INTERSTITIAL IN DIAMOND LATTICE
    WEIGEL, C
    PEAK, D
    CORBETT, JW
    WATKINS, GD
    MESSMER, RP
    [J]. PHYSICAL REVIEW B, 1973, 8 (06): : 2906 - 2915
  • [42] WEIGEL C, 1979, PHYS STATUS SOLIDI B, V94, P505, DOI 10.1002/pssb.2220940221
12345