INSITU MEASUREMENT OF DIELECTRIC THICKNESS DURING ETCHING OR DEVELOPING PROCESSES

被引：82

作者：

KONNERTH, KL ^{[1
]}

DILL, FH ^{[1
]}

机构：

[1] IBM CORP,THOMAS J WATSON RES CTR,YORKTOWN HEIGHTS,NY 10598

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1975年 / ED22卷 / 07期

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1975.18160

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页码：452 / 456

页数：5

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共 1 条

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KONNERTH, KL
[J]. SOLID-STATE ELECTRONICS, 1972, 15 (04) : 371 - &