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INTERDIGITATED PN JUNCTION DEVICE WITH NOVEL CAPACITANCE VOLTAGE CHARACTERISTIC, ULTRALOW CAPACITANCE AND LOW PUNCH-THROUGH VOLTAGE
被引:12
作者
:
CAPASSO, F
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0
CAPASSO, F
LOGAN, RA
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LOGAN, RA
TSANG, WT
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TSANG, WT
机构
:
来源
:
ELECTRONICS LETTERS
|
1982年
/ 18卷
/ 18期
关键词
:
D O I
:
10.1049/el:19820514
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
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页码:760 / 761
页数:2
相关论文
共 3 条
[1]
NEW ULTRA-LOW-NOISE AVALANCHE PHOTO-DIODE WITH SEPARATED ELECTRON AND HOLE AVALANCHE REGIONS
CAPASSO, F
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
CAPASSO, F
[J].
ELECTRONICS LETTERS,
1982,
18
(01)
: 12
-
13
[2]
CAPASSO F, 1982, UNPUB IEEE T ED, V29
[3]
CAPASSO F, 1982, 40TH DEV RES C FT CO
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共 3 条
[1]
NEW ULTRA-LOW-NOISE AVALANCHE PHOTO-DIODE WITH SEPARATED ELECTRON AND HOLE AVALANCHE REGIONS
CAPASSO, F
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CAPASSO, F
[J].
ELECTRONICS LETTERS,
1982,
18
(01)
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CAPASSO F, 1982, UNPUB IEEE T ED, V29
[3]
CAPASSO F, 1982, 40TH DEV RES C FT CO
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