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NEW ULTRA-LOW-NOISE AVALANCHE PHOTO-DIODE WITH SEPARATED ELECTRON AND HOLE AVALANCHE REGIONS
被引:28
作者
:
CAPASSO, F
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
CAPASSO, F
机构
:
来源
:
ELECTRONICS LETTERS
|
1982年
/ 18卷
/ 01期
关键词
:
D O I
:
10.1049/el:19820009
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
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IONIZATION COEFFICIENT MEASUREMENT IN GAAS BY USING MULTIPLICATION NOISE CHARACTERISTICS
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SOLID-STATE ELECTRONICS,
1981,
24
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: 629
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[2]
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[3]
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[4]
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MULTIPLICATION NOISE IN UNIFORM AVALANCHE DIODES
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