AN EXPERIMENTAL NANOSECOND JOSEPHSON 1K-RAM USING 5-MU-M PB-ALLOY TECHNOLOGY

被引：25

作者：

YAMAMOTO, M

YAMAUCHI, Y

MIYAHARA, K

KURODA, K

YANAGAWA, F

ISHIDA, A

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/EDL.1983.25683

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：150 / 152

页数：3

共 5 条

[1] MODEL FOR A 15-NS 16K-RAM WITH JOSEPHSON JUNCTIONS [J].

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KOTYCZKA, W ;

MOHR, TO ;

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[3]

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[4]

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[5] EXPERIMENTAL SINGLE FLUX QUANTUM NDRO JOSEPHSON MEMORY CELL [J].

HENKELS, WH ;

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