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GIGABIT PER 2ND OPERATION BY MONOLITHICALLY INTEGRATED INGAASP/INP LD-FET
被引:15
作者
:
KASAHARA, K
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KASAHARA, K
HAYASHI, J
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NOMURA, H
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NOMURA, H
机构
:
来源
:
ELECTRONICS LETTERS
|
1984年
/ 20卷
/ 15期
关键词
:
D O I
:
10.1049/el:19840425
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
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相关论文
共 8 条
[1]
CHEN PC, IOOC 83 TOKYO, P190
[2]
MONOLITHICALLY INTEGRATED IN0.53GA0.47AS-PIN/INP-MISFET PHOTORECEIVER
KASAHARA, K
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KASAHARA, K
HAYASHI, J
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SUZUKI, A
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NOMURA, H
MATUSHITA, S
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MATUSHITA, S
[J].
ELECTRONICS LETTERS,
1984,
20
(08)
: 314
-
315
[3]
A MONOLITHIC INTEGRATION OF GAAS-GAAIAS BIPOLAR-TRANSISTOR AND HETEROSTRUCTURE LASER
KATZ, J
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KATZ, J
BARCHAIM, N
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BARCHAIM, N
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CHEN, PC
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YUST, M
YARIV, A
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YARIV, A
[J].
APPLIED PHYSICS LETTERS,
1980,
37
(02)
: 211
-
213
[4]
MONOLITHIC INTEGRATION OF A VERY LOW THRESHOLD GAINASP LASER AND METAL-INSULATOR-SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR ON SEMI-INSULATING INP
KOREN, U
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KOREN, U
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YARIV, A
[J].
APPLIED PHYSICS LETTERS,
1982,
40
(08)
: 643
-
645
[5]
MATSUEDA H, CLEO 83 BALTIMORE, P120
[6]
SUGIMOTO M, UNPUB J LIGHTWAVE TE
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URY I, GAAS IC S 82 NEW ORL, P42
[8]
YAMAKOSHI S, IOOC 83 TOKYO, P140
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共 8 条
[1]
CHEN PC, IOOC 83 TOKYO, P190
[2]
MONOLITHICALLY INTEGRATED IN0.53GA0.47AS-PIN/INP-MISFET PHOTORECEIVER
KASAHARA, K
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KASAHARA, K
HAYASHI, J
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HAYASHI, J
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NOMURA, H
MATUSHITA, S
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MATUSHITA, S
[J].
ELECTRONICS LETTERS,
1984,
20
(08)
: 314
-
315
[3]
A MONOLITHIC INTEGRATION OF GAAS-GAAIAS BIPOLAR-TRANSISTOR AND HETEROSTRUCTURE LASER
KATZ, J
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KATZ, J
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YUST, M
YARIV, A
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YARIV, A
[J].
APPLIED PHYSICS LETTERS,
1980,
37
(02)
: 211
-
213
[4]
MONOLITHIC INTEGRATION OF A VERY LOW THRESHOLD GAINASP LASER AND METAL-INSULATOR-SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR ON SEMI-INSULATING INP
KOREN, U
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YARIV, A
[J].
APPLIED PHYSICS LETTERS,
1982,
40
(08)
: 643
-
645
[5]
MATSUEDA H, CLEO 83 BALTIMORE, P120
[6]
SUGIMOTO M, UNPUB J LIGHTWAVE TE
[7]
URY I, GAAS IC S 82 NEW ORL, P42
[8]
YAMAKOSHI S, IOOC 83 TOKYO, P140
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