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STABLE TANTALUM SILICIDE SCHOTTKY-BARRIER ON NORMAL-TYPE GALLIUM-ARSENIDE EVALUATED AT ELEVATED-TEMPERATURES

被引：9
作者：
TSENG, WF
CHRISTOU, A
机构：
来源：
ELECTRONICS LETTERS | 1983年 / 19卷 / 09期
关键词：
D O I：
10.1049/el:19830228
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
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页码：330 / 332
页数：3
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