DEFECT-RELATED GATE OXIDE BREAKDOWN

被引：21

作者：

BERGHOLZ, W ^{[1
]}

MOHR, W ^{[1
]}

DREWES, W ^{[1
]}

WENDT, H ^{[1
]}

机构：

[1] SIEMENS AG,CENT RES LAB,W-8000 MUNICH 83,GERMANY

来源：

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY | 1989年 / 4卷 / 1-4期

关键词：

D O I：

10.1016/0921-5107(89)90271-7

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：359 / 366

页数：8