ENGINEERED AL - GAAS SCHOTTKY-BARRIER HEIGHTS BY MBE

被引：3

作者：

EGLASH, SJ

PAN, S

SPICER, WE

COLLINS, DM

机构：

[1] STANFORD UNIV,STANFORD ELECTR LABS,STANFORD,CA 94305

[2] HEWLETT PACKARD CO,SOLID STATE LAB,PALO ALTO,CA 94304

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1982.20981

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1690 / 1691

页数：2