COMPARISON OF THIN-FILM TRANSISTORS FABRICATED AT LOW-TEMPERATURES (LESS-THAN-OR-EQUAL-TO 600-DEGREES-C) ON AS-DEPOSITED AND AMORPHIZED-CRYSTALLIZED POLYCRYSTALLINE SI

被引：18

作者：

KUNG, KTY

REIF, R

机构：

来源：

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1987年 / 61卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1063/1.338949

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：1638 / 1642

页数：5

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共 12 条

[11] 1984, MATERIAL RES SOC S P
[12] 1986, MATERIAL RES SOC S P, V53