EPITAXIAL-GROWTH OF GAN1-XPX (X LESS-THAN-OR-EQUAL-TO 0.04) ON SAPPHIRE SUBSTRATES

被引：10

作者：

IGARASHI, O

OKADA, Y

机构：

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS | 1985年 / 24卷 / 10期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.24.L792

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：L792 / L794

页数：3

共 6 条

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