GROWTH OF SINGLE-CRYSTALLINE COSI2 ON (111) SI IN SOLID-PHASE EPITAXY REGIME BY A NON-ULTRAHIGH VACUUM METHOD

被引：11

作者：

CHENG, HC ^{[1
]}

WU, IC ^{[1
]}

CHEN, LJ ^{[1
]}

机构：

[1] NATL TSING HUA UNIV,DEPT MAT SCI & ENGN,HSINCHU 300,TAIWAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.97652

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：174 / 176

页数：3

共 14 条

TUNG, RT .

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