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LASER CHEMICAL ETCHING OF VIAS IN GAAS
被引:18
作者
:
TUCKER, AW
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TUCKER, AW
BIRNBAUM, M
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BIRNBAUM, M
机构
:
来源
:
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
|
1983年
/ 4卷
/ 02期
关键词
:
D O I
:
10.1109/EDL.1983.25639
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
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页码:39 / 41
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相关论文
共 3 条
[1]
LASER CHEMICAL TECHNIQUE FOR RAPID DIRECT WRITING OF SURFACE RELIEF IN SILICON
[J].
EHRLICH, DJ
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EHRLICH, DJ
;
OSGOOD, RM
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OSGOOD, RM
;
DEUTSCH, TF
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DEUTSCH, TF
.
APPLIED PHYSICS LETTERS,
1981,
38
(12)
:1018
-1020
[2]
EHRLICH DJ, 1980, APPL PHYS LETT, V36, P398
[3]
LOCALIZED LASER ETCHING OF COMPOUND SEMICONDUCTORS IN AQUEOUS-SOLUTION
[J].
OSGOOD, RM
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机构:
MIT, LINCOLN LAB, LEXINGTON, MA 02173 USA
MIT, LINCOLN LAB, LEXINGTON, MA 02173 USA
OSGOOD, RM
;
SANCHEZRUBIO, A
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MIT, LINCOLN LAB, LEXINGTON, MA 02173 USA
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SANCHEZRUBIO, A
;
EHRLICH, DJ
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MIT, LINCOLN LAB, LEXINGTON, MA 02173 USA
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EHRLICH, DJ
;
DANEU, V
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MIT, LINCOLN LAB, LEXINGTON, MA 02173 USA
MIT, LINCOLN LAB, LEXINGTON, MA 02173 USA
DANEU, V
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APPLIED PHYSICS LETTERS,
1982,
40
(05)
:391
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[1]
LASER CHEMICAL TECHNIQUE FOR RAPID DIRECT WRITING OF SURFACE RELIEF IN SILICON
[J].
EHRLICH, DJ
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EHRLICH, DJ
;
OSGOOD, RM
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OSGOOD, RM
;
DEUTSCH, TF
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DEUTSCH, TF
.
APPLIED PHYSICS LETTERS,
1981,
38
(12)
:1018
-1020
[2]
EHRLICH DJ, 1980, APPL PHYS LETT, V36, P398
[3]
LOCALIZED LASER ETCHING OF COMPOUND SEMICONDUCTORS IN AQUEOUS-SOLUTION
[J].
OSGOOD, RM
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机构:
MIT, LINCOLN LAB, LEXINGTON, MA 02173 USA
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OSGOOD, RM
;
SANCHEZRUBIO, A
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MIT, LINCOLN LAB, LEXINGTON, MA 02173 USA
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SANCHEZRUBIO, A
;
EHRLICH, DJ
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MIT, LINCOLN LAB, LEXINGTON, MA 02173 USA
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EHRLICH, DJ
;
DANEU, V
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MIT, LINCOLN LAB, LEXINGTON, MA 02173 USA
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DANEU, V
.
APPLIED PHYSICS LETTERS,
1982,
40
(05)
:391
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