ENHANCEMENT-MODE AND DEPLETION-MODE GAAS-MESFETS GROWN BY LASER-ASSISTED MOVPE

被引：2

作者：

BAN, Y

ISHIZAKI, M

ASAKA, T

KOYAMA, Y

KUKIMOTO, H

机构：

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS | 1989年 / 28卷 / 11期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.28.L1899

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：L1899 / L1901

页数：3