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PHYSICAL PHENOMENON RESPONSIBLE FOR SATURATION CURRENT IN FIELD EFFECT DEVICES
被引:24
作者
:
GROSVALET, J
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GROSVALET, J
MOTSCH, C
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MOTSCH, C
TRIBES, R
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TRIBES, R
机构
:
来源
:
SOLID-STATE ELECTRONICS
|
1963年
/ 6卷
/ 01期
关键词
:
D O I
:
10.1016/0038-1101(63)90126-6
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
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页码:65 / 67
页数:3
相关论文
共 4 条
[1]
GUNN JB, 1956, J ELECTRONICS, V2, P87
[2]
MOBILITY OF HOLES AND ELECTRONS IN HIGH ELECTRIC FIELDS
RYDER, EJ
论文数:
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RYDER, EJ
[J].
PHYSICAL REVIEW,
1953,
90
(05):
: 766
-
769
[3]
SHOCKLEY W, 1952, P I RADIO ENG
[4]
YAMASHITA J, PROGR SEMICONDUCTORS, V4, P63
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