TRANSIENT 2-DIMENSIONAL SIMULATION OF A SUBMICROMETER GATE-LENGTH MESFET

被引：5

作者：

BARNES, JJ ^{[1
]}

LOMAX, RJ ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV MICHIGAN,DEPT ELECTRICAL & COMP ENGN,ELECTRON PHYS LAB,ANN ARBOR,MI 48104

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19750400

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：519 / 521

页数：3

共 6 条

[1]

BARNES JJ, 1974, ELECTRON LETT, V10, P341, DOI 10.1049/el:19740270

[2]

FIX G, TO BE PUBLISHED

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