THE DEPENDENCE ON DEPOSITION CONDITIONS OF THE DOPANT CONCENTRATION OF EPITAXIAL SILICON LAYERS

被引：15

作者：

NUTTALL, R

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2426115

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：317 / 323

页数：7

共 13 条

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