A HIGH-CURRENT DRIVABILITY I-ALGAAS/N-GAAS DOPED-CHANNEL MIS-LIKE FET (DMT)

被引：49

作者：

HIDA, H

OKAMOTO, A

TOYOSHIMA, H

OHATA, K

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/EDL.1986.26497

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：625 / 626

页数：2

共 7 条

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