LPE-GROWTH OF INAS ON GAAS SUBSTRATES

被引：8

作者：

BUTTER, E ^{[1
]}

JACOBS, B ^{[1
]}

STARY, J ^{[1
]}

机构：

[1] KARL MARX UNIV,SEKT CHEM,LEIPZIG,GER DEM REP

来源：

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH | 1974年 / 26卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1002/pssa.2210260246

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

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页码：K105 / K107

页数：3

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共 6 条

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[2] BUTTER E, TO BE PUBLISHED
[3] GE-DOPED INXGA1-XAS P-N-JUNCTIONS
KURIHARA, M
MORIIZUMI, T
TAKAHASHI, K
[J]. SOLID-STATE ELECTRONICS, 1973, 16 (07) : 763 - 771
[4] TAKAHASHI K, 1971, J ELECTROCHEM SOC, V118, P1693
[5] PHASE-DIAGRAM, CRYSTAL-GROWTH, AND BAND-STRUCTURE OF INXGA1-XAS
WU, TY
PEARSON, GL
[J]. JOURNAL OF PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLIDS, 1972, 33 (02) : 409 - &
[6] ZEHE A, TO BE PUBLISHED