TEMPERATURE-DEPENDENCE OF THE HOOGE PARAMETER IN N-CHANNEL SILICON JFETS

被引：3

作者：

PAWLIKIEWICZ, A

VANDERZIEL, A

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/EDL.1985.26208

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：500 / 501

页数：2

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共 6 条

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