ELECTRON-ENERGY DISTRIBUTION IN SILICON UNDER PULSED-LASER EXCITATION

被引:11
作者
BENSOUSSAN, M
MOISON, JM
机构
来源
PHYSICAL REVIEW B | 1983年 / 27卷 / 08期
关键词
D O I
10.1103/PhysRevB.27.5192
中图分类号
T [工业技术];
学科分类号
08 ;
摘要
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页码:5192 / 5195
页数:4
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