FLIP-FLOP CIRCUIT USING A RESONANT-TUNNELING HOT-ELECTRON TRANSISTOR (RHET)

被引：17

作者：

YOKOYAMA, N

IMAMURA, K

机构：

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1986年 / 22卷 / 23期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19860842

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页码：1228 / 1229

页数：2

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共 2 条

[1] A NEW FUNCTIONAL, RESONANT-TUNNELING HOT-ELECTRON TRANSISTOR (RHET) [J].

YOKOYAMA, N ;

IMAMURA, K ;

MUTO, S ;

HIYAMIZU, S ;

NISHI, H .

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS, 1985, 24 (11) :L853-L853

[2]

YOKOYAMA N, 1986, 44TH ANN DEV RES C A