CONFIRMATION OF SURFACE EFFECT UPON PHOSPHORUS DIFFUSION INTO SILICON

被引：20

作者：

MATSUMOTO, S

YOSHIDA, M

NIMI, T

机构：

[1] KEIO UNIV, FAC ENGN, DEPT ELECT ENGN, HIYOSHI, YOKOHAMA, JAPAN

[2] KYUSHU INST DESIGN, SHIOBARA, FUKUOKA, JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.13.1899

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：1899 / 1900

页数：2

共 6 条

[1]

GHOSHTAGORE RN, 1974, PHYS REV, V45, P1948

[2] RESISTIVITY OF BULK SILICON AND OF DIFFUSED LAYERS IN SILICON [J].

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BELL SYSTEM TECHNICAL JOURNAL, 1962, 41 (02) :387-+

[3]

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MATSUMOTO, S ;

NIIMI, T ;

YOSHIDA, M .

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ARAI, E ;

NAKAMURA, H ;

TERUNUMA, Y .