MULTI-ELEMENT REACHTHROUGH AVALANCHE PHOTODIODES

被引：23

作者：

WEBB, PP

MCINTYRE, RJ

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1984.21689

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1206 / 1212

页数：7

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共 3 条

[1] TEMPERATURE EFFECTS IN SILICON AVALANCHE-DIODES [J].

CONRADI, J .

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WEBB PP, 1974, RCA REV, V35, P234