VELOCITY SATURATION EFFECT ON SHORT-CHANNEL MOS-TRANSISTOR CAPACITANCE

被引：8

作者：

IWAI, H

PINTO, MR

RAFFERTY, CS

ORISTIAN, JE

DUTTON, RW

机构：

来源：

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS | 1985年 / 6卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1109/EDL.1985.26066

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页码：120 / 122

页数：3

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共 3 条

[1] A SCALEABLE TECHNIQUE FOR THE MEASUREMENT OF INTRINSIC MOS CAPACITANCE WITH ATTO-FARAD RESOLUTION
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