ELECTRON-TRANSPORT ACROSS DEPLETED REGION OF A FINE-GATE GAAS - AIGAAS HETEROJUNCTION FET

被引：6

作者：

THORNTON, TJ ^{[1
]}

PEPPER, M ^{[1
]}

AHMED, H ^{[1
]}

ANDREWS, D ^{[1
]}

DAVIES, GJ ^{[1
]}

机构：

[1] BRITISH TELECOM RES LABS,IPSWICH IP5 7RE,SUFFOLK,ENGLAND

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19860170

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：247 / 249

页数：3

共 4 条

HICKMOTT, TW ;

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JOURNAL OF PHYSICS C-SOLID STATE PHYSICS, 1980, 13 (26) :L717-L719

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