P-CHANNEL GAAS SIS (SEMICONDUCTOR-INSULATOR-SEMICONDUCTOR) FET

被引：5

作者：

MATSUMOTO, K

OGURA, M

WADA, T

YAO, T

HAYASHI, Y

HASHIZUME, N

KATO, M

ENDO, T

NAGE, H

机构：

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1985年 / 21卷 / 13期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19850410

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：580 / 581

页数：2

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共 4 条

[1] N+-GAAS UNDOPED GAALAS UNDOPED GAAS FIELD-EFFECT TRANSISTOR [J].

MATSUMOTO, K ;

OGURA, M ;

WADA, T ;

HASHIZUME, N ;

YAO, T ;

HAYASHI, Y .

ELECTRONICS LETTERS, 1984, 20 (11) :462-463

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MATSUMOTO K, UNPUB 1984 P INT S G

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