N+-GAAS UNDOPED GAALAS UNDOPED GAAS FIELD-EFFECT TRANSISTOR

被引：50

作者：

MATSUMOTO, K

OGURA, M

WADA, T

HASHIZUME, N

YAO, T

HAYASHI, Y

机构：

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1984年 / 20卷 / 11期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19840323

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页码：462 / 463

页数：2

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