ROOM-TEMPERATURE HETEROJUNCTION LASER-DIODES FROM VAPOR-GROWN IN1-XGAXP/GAAS STRUCTURES

被引：17

作者：

NUESE, CJ ^{[1
]}

ETTENBERG, M ^{[1
]}

OLSEN, GH ^{[1
]}

机构：

[1] RCA LABS, PRINCETON, NJ 08540 USA

来源：

APPLIED PHYSICS LETTERS | 1974年 / 25卷 / 10期

关键词：

D O I：

10.1063/1.1655331

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：612 / 614

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共 21 条

[21]

TIETJEN JJ, 1967, T METALL SOC AIME, V239, P385