INASXP1-X/INP PHOTODIODES PREPARED BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY

被引：1

作者：

LEE, TP ^{[1
]}

BURRUS, CA ^{[1
]}

SESSA, WB ^{[1
]}

TSANG, WT ^{[1
]}

机构：

[1] AT&T BELL LABS,MURRAY HILL,NJ 07974

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19840249

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：363 / 364

页数：2

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共 6 条

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