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CHARGE-TRANSFER IN CHARGE-COUPLED-DEVICES IN PRESENCE OF INTERFACE STATES
被引:7
作者
:
BARSAN, RM
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
BUCHAREST POLYTECH INST,DEPT ELECTR,BUCHAREST,ROMANIA
BUCHAREST POLYTECH INST,DEPT ELECTR,BUCHAREST,ROMANIA
BARSAN, RM
[
1
]
机构
:
[1]
BUCHAREST POLYTECH INST,DEPT ELECTR,BUCHAREST,ROMANIA
来源
:
SOLID-STATE ELECTRONICS
|
1976年
/ 19卷
/ 12期
关键词
:
D O I
:
10.1016/0038-1101(76)90182-9
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
收藏
页码:1015 / 1019
页数:5
相关论文
共 12 条
[11]
SZE SM, 1969, PHYSICS SEMICONDUCTO, P576
[12]
QUANTITATIVE EFFECTS OF INTERFACE STATES ON PERFORMANCE OF CHARGE-COUPLED DEVICES
[J].
TOMPSETT, MF
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
BELL TEL LABS INC, MURRAY HILL, NJ 07974 USA
BELL TEL LABS INC, MURRAY HILL, NJ 07974 USA
TOMPSETT, MF
.
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES,
1973,
ED20
(01)
:45
-55
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→
共 12 条
[11]
SZE SM, 1969, PHYSICS SEMICONDUCTO, P576
[12]
QUANTITATIVE EFFECTS OF INTERFACE STATES ON PERFORMANCE OF CHARGE-COUPLED DEVICES
[J].
TOMPSETT, MF
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
BELL TEL LABS INC, MURRAY HILL, NJ 07974 USA
BELL TEL LABS INC, MURRAY HILL, NJ 07974 USA
TOMPSETT, MF
.
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES,
1973,
ED20
(01)
:45
-55
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