AN EXPERIMENTAL 16-MBIT DRAM WITH REDUCED PEAK-CURRENT NOISE

被引：7

作者：

CHIN, D

KIM, CY

CHOI, YH

MIN, DS

HONG, SH

CHOI, H

CHO, S

TAE, YC

PARK, CJ

SHIN, YS

SUH, KY

机构：

来源：

IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS | 1989年 / 24卷 / 05期

关键词：

D O I：

10.1109/JSSC.1989.572578

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：1191 / 1197

页数：7

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[1]

AOKI M, 1988, FEB ISSCC DIG TECH P, P250

[2]

ARIMOTO K, 1989, FEB ISSCC, P244

[3]

CHIN D, 1987, IBM TDB, V29, P4637

[4]

EMA T, 1988, DEC IEDM, P592

[5]

FUJII S, 1989, FEB ISSCC, P248

[6] AN EXPERIMENTAL 4-MBIT CMOS DRAM [J].

FURUYAMA, T ;

OHSAWA, T ;

WATANABE, Y ;

ISHIUCHI, H ;

WATANABE, T ;

TANAKA, T ;

NATORI, K ;

OZAWA, O .

IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS, 1986, 21 (05) :605-611

[7]

INOUE M, 1988, FEB ISSCC, P246

[8]

ITOH K, 1984, FEB IEEE INT SOL STA, P282

[9]

KIMURA S, 1988, DEC IEDM, P596

[10]

MANO T, 1987, FEB ISSCC, P22