OXIDE FORMATION DURING PLASMA-ETCHING OF SILICON-CONTAINING RESISTS

被引:26
作者
HARTNEY, MA [1 ]
CHIANG, JN [1 ]
HESS, DW [1 ]
SOANE, DS [1 ]
机构
[1] UNIV CALIF BERKELEY,DEPT CHEM ENGN,BERKELEY,CA 94720
关键词
D O I
10.1063/1.101337
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
引用
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页码:1510 / 1512
页数:3
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