STRUCTURE AND ORIGIN OF STACKING FAULTS IN EPITAXIAL SILICON

被引：120

作者：

FINCH, RH

QUEISSER, HJ

WASHBURN, J

THOMAS, G

机构：

来源：

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1963年 / 34卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1063/1.1702622

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

收藏

页码：406 / &

相关论文

共 22 条

[21] ELECTRON DIFFRACTION FROM CRYSTALS CONTAINING STACKING FAULTS .2. [J].

WHELAN, MJ ;

HIRSCH, PB .

PHILOSOPHICAL MAGAZINE, 1957, 2 (23) :1303-&

[22] ELECTRON DIFFRACTION FROM CRYSTALS CONTAINING STACKING FAULTS .1. [J].

WHELAN, MJ ;

HIRSCH, PB .

PHILOSOPHICAL MAGAZINE, 1957, 2 (21) :1121-1142