HIGH-VOLTAGE THYRISTORS AND DIODES MADE OF NEUTRON-IRRADIATED SILICON

被引：11

作者：

PLATZODER, K ^{[1
]}

LOCH, K ^{[1
]}

机构：

[1] SIEMENS AG,D-8000 MUNCHEN 46,FED REP GER

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1976.18489

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：805 / 808

页数：4

共 6 条

[1]

HAAS WE, 1975, AUG C MET SOC AIME P

[2] MAXIMUM BLOCKING CAPABILITY OF SILICON THYRISTORS [J].

HERLET, A .

[3] DOPING OF SILICON BY NEUTRON-IRRADIATION [J].

HERRMANN, HA ;

HERZER, H .

SCHNOLLER, M .

[5]

SCHNOLLER M, 1976, IEEE T ELECTRON DEV, V23, P803

SZE, SM ;

GIBBONS, G .