FORMATION OF SILICON-NITRIDE AT A SI-SIO2 INTERFACE DURING LOCAL OXIDATION OF SILICON AND DURING HEAT-TREATMENT OF OXIDIZED SILICON IN NH3 GAS

被引：131

作者：

KOOI, E ^{[1
]}

VANLIEROP, JG ^{[1
]}

APPELS, JA ^{[1
]}

机构：

[1] PHILIPS RES LABS,EINDHOVEN,NETHERLANDS

来源：

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY | 1976年 / 123卷 / 07期

关键词：

D O I：

10.1149/1.2133008

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

收藏

页码：1117 / 1120

页数：4

相关论文

共 5 条

[1]

APPELS JA, 1970, PHILIPS RES REP, V25, P118

[2]

APPELS JA, 1971, PHILIPS RES REP, V26, P157

[3]

KOOI E, 1971, PHILIPS RES REP, V26, P166

[4]

KOOI E, 1973, SEMICONDUCTOR SILICO, P860

[5] NITROGEN REACTION AT A SILICON-SILICON DIOXIDE INTERFACE [J].

RAIDER, SI ;

GDULA, RA ;

PETRAK, JR .

APPLIED PHYSICS LETTERS, 1975, 27 (03) :150-152