GROWTH OF NIOBIUM SINGLE-CRYSTALS BY A PEDESTAL METHOD

被引：7

作者：

NARAMOTO, H ^{[1
]}

KAMADA, K ^{[1
]}

机构：

[1] JAPAN ATOM ENERGY RES INST,TOKAI,IBARAKI,JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0022-0248(74)90372-8

中图分类号：

O7 [晶体学];

学科分类号：

0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;

摘要：

引用

页码：531 / 536

页数：6

共 15 条

[1]

ABE T, 1973, SEMICONDUCTOR SILICO, P95

[2]

ACHTER MR, 1966, T AIME, V236, P1957

[3]

BECKER C, 1969, PHYS STATUS SOLIDI, V32, P443, DOI 10.1002/pssb.19690320146

[4] GROWTH OF SILICON CRYSTALS FREE FROM DISLOCATIONS [J].

DASH, WC .

[5]

DEKOCK AJR, 1973, PHILIPS RES REPT S, P8

[6]

Fehmer H., 1972, Journal of Crystal Growth, V13-14, P257, DOI 10.1016/0022-0248(72)90165-0

KAMADA, K ;

TANNER, BK .

PHILOSOPHICAL MAGAZINE, 1974, 29 (02) :309-322

NARAMOTO, H ;

KAMADA, K .

[9]

OKKERSE B, 1959, PHILIPS TECH REV, V21, P340

[10]

Penning P., 1961, PHILIPS RES REP, V16, P419