A SIMPLE METHOD TO CHARACTERIZE SUBSTRATE CURRENT IN MOSFETS

被引：139

作者：

CHAN, TY

KO, PK

HU, C

机构：

来源：

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS | 1984年 / 5卷 / 12期

关键词：

D O I：

10.1109/EDL.1984.26006

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

收藏

页码：505 / 507

页数：3

相关论文

共 6 条

[1] SIMPLE 2-DIMENSIONAL MODEL FOR IGFET OPERATION IN SATURATION REGION
ELMANSY, YA
BOOTHROYD, AR
[J]. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 1977, 24 (03) : 254 - 262
[2] HU C, 1983, IEDM TECH DIG
[3] Ko P. K., 1981, International Electron Devices Meeting, P600
[4] Sing Y. W., 1980, International Electron Devices Meeting. Technical Digest, P732
[5] SUBMICROMETER MOSFET STRUCTURE FOR MINIMIZING HOT-CARRIER GENERATION
TAKEDA, E
KUME, H
TOYABE, T
ASAI, S
[J]. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 1982, 29 (04) : 611 - 618
[6] ONE-DIMENSIONAL WRITING MODEL OF N-CHANNEL FLOATING GATE IONIZATION-INJECTION MOS (FIMOS)
TANAKA, S
ISHIKAWA, M
[J]. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 1981, 28 (10) : 1190 - 1197