CONTROL OF DISLOCATIONS IN GAAS GROWN ON SI(211) BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY

被引：7

作者：

AHEARN, JS ^{[1
]}

UPPAL, P ^{[1
]}

LIU, TK ^{[1
]}

KROEMER, H ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV CALIF SANTA BARBARA,DEPT ELECT & COMP ENGN,SANTA BARBARA,CA 93106

来源：

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B | 1987年 / 5卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1116/1.583703

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1156 / 1161

页数：6