INTERFACIAL AND BREAKDOWN CHARACTERISTICS OF MOS DEVICES WITH RAPIDLY GROWN ULTRATHIN SIO2 GATE INSULATORS

被引：15

作者：

MOSLEHI, MM ^{[1
]}

SHATAS, SC ^{[1
]}

SARASWAT, KC ^{[1
]}

MEINDL, JD ^{[1
]}

机构：

[1] NANOSIL,SUNNYVALE,CA 94086

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1987年 / 34卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1987.23098

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：1407 / 1410

页数：4

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共 11 条

[11]

WEINBERG ZA, 1986, MATERIALS RES SOC S, V52, P327