EFFECT OF IMPLANT AND ANNEAL PARAMETERS ON BORON-IMPLANTED SI AS DETERMINED FROM ELLIPSOMETRY AND ETCHING TECHNIQUES

被引：2

作者：

IMMORLICA, AA

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(82)90155-1

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1141 / &

共 8 条

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