A COMPARISON OF THE GAAS-MESFET AND THE ALGAAS/GAAS HETEROJUNCTION BIPOLAR-TRANSISTOR FOR POWER MICROWAVE AMPLIFICATION

被引：7

作者：

LONG, SI ^{[1
]}

机构：

[1] GEC HIRST RES CTR,WEMBLEY HA9 7PP,MIDDX,ENGLAND

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/16.30932

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1274 / 1278

页数：5

共 10 条

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