COMPUTER-SIMULATED AND CHANNELING STUDIES OF DAMAGE DISTRIBUTIONS IN PHOSPHORUS IMPLANTED SILICON

被引：4

作者：

BUDINOV, H ^{[1
]}

KARPUZOV, DS ^{[1
]}

机构：

[1] BULGARIAN ACAD SCI,INST ELECTR,BU-1784 SOFIA,BULGARIA

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0042-207X(88)90561-1

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：995 / 997

页数：3

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共 5 条

BRICE, DK .

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